Un chercheur indépendant propose un modèle de rendement sensible à EUV avec une amélioration de 6,9 % de l'erreur à des nœuds sub-22nm
7/10Un chercheur indépendant a développé un modèle prenant en compte l'exposition EUV qui réduit l'erreur absolue moyenne de 6,9 % par rapport au modèle binomial négatif. Ce modèle a été validé sur 11 nœuds technologiques allant de 250 nm à 7 nm, ce qui pourrait améliorer la précision dans la fabrication avancée des semi-conducteurs.
